因此，平方对该研究领域的系统总结和对比分析是有必要的。
然而，小天介电陶瓷的相对较低的能量密度，比电池的能量密度低一到两个数量级，这极大地阻碍了介电陶瓷在能量存储装置中的大规模应用。因此，地第为了进一步提高钙钛矿陶瓷的能量密度，迫切需要寻找降低场致应变的策略。
【小结】总而言之，式握手作者提出了一种工程化晶粒取向的策略，式握手以大大提高钙钛矿型介电陶瓷的击穿强度，从而在111织构的NBT-SBT多层陶瓷中实现了约21.5Jcm-3的储能密度，这些织构化的MLCC对大功率储能应用具有实际意义。然而，次正两种方法都降低了电场感应的极化，导致能量密度的改善有限。根据对钙钛矿介质的储能密度的研究，平方击穿电场是能量密度水平的重要指标，即更高的击穿强度导致更大的能量存储密度。
小天（b）两种陶瓷的应变与电场曲线。近日，地第西安交通大学李飞教授，地第哈尔滨工业大学常云飞副教授和澳大利亚伍伦贡大学张树君教授（共同通讯作者）提出一种通过控制晶粒取向来增加击穿电场，从而提高多晶陶瓷的储能密度。
【引言】 近年来，式握手电力存储技术在先进的电子和电力系统中起着至关重要的作用，式握手许多先进的电子设备要求同时具有高能量和功率密度的能量存储，例如大功率微波，电磁设备和混合电动汽车。
（c，次正d）织构为111的NBT-SBT多层陶瓷及其非织构陶瓷的X射线衍射图。平方二维材料的出现为膜的发展提供了新的途径。
图5 Al3+插入两个相邻的MXenes层，小天从而固定d间距示意图。地第Nb2C MXenes则具有表面基团决定的超导电性。
式握手图4 Mxenes油墨直接印刷示意图。韩国科学技术院SangOukKim、次正韩国科学技术院ChongMinKoo和德雷塞尔大学YuryGogotsi教授[12]合作，次正系统地报道了二维Ti3C2Tx MXene组装膜在不同膜厚范围内的电磁干扰屏蔽行为。
